| 电流主动导引结构倒装AlGaInP LED |
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| 作者姓名： | 李川川 关宝璐 郝聪霞 郭霞 |
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| 作者单位： | 1.北京工业大学电子信息与控制工程学院光子器件研究实验室,北京,100124;2.北京工业大学电子信息与控制工程学院光子器件研究实验室,北京,100124;3.北京工业大学电子信息与控制工程学院光子器件研究实验室,北京,100124;4.北京工业大学电子信息与控制工程学院光子器件研究实验室,北京,100124 |
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| 基金项目： | 国家自然科学青年基金（60908012）和北京市教委项目（KM201010005030）资助课题。 |
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| 摘 要： | 设计并制备了一种带有电流导引结构的新型倒装AlGaInP LED.实验结果表明,在20 mA直流电流注入下,器件的电压为2.19V,输出光功率与普通倒装器件相比提高了17.33％.通过电流导引结构,使得器件注入电流被主动引导到电极以外部分,有效增大了上电极以外部分有源区中用于发光的有效载流子数目的比例,同时减轻了电流密度过大现象,大大提高了器件的出光效率.
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| 关 键 词： | 光电子学 AlGaInP LED 倒装 电流导引 电流密度分布 |
| 收稿时间： | 2012-01-10 |
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