| GaAs/InP异质外延材料的光致发光研究 |
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| 作者姓名： | 李玉东 王本忠 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,长春 130023,集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,长春 130023,集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,长春 130023,集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,长春 130023,集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,长春 130023 |
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| 摘 要： | 首次对MOCVD-LPE混合外延生长的GaAs/InP材料进行了光致发光测量及分析。结果显示出混合生长的GaAs发光强度明显高于MOCVD一次外延生长的GaAs的发光强度,并确认在16K温度下GaAs和InP有跃迁激子产生。观测到GaAs/InP样品近带边光致发光谱的半峰宽为8.4meV,显示了这种材料的高质量。
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| 关 键 词： | 异质外延 光致发光 GaAs InP 激子 |
| 收稿时间： | 1992-05-16 |
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