| ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子隧穿过程 |
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| 引用本文： | 金华,张立功,郑著宏,孔祥贵,安立楠,申德振.ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子隧穿过程[J].物理学报,2004,53(9):3211-3214. |
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| 作者姓名： | 金华 张立功 郑著宏 孔祥贵 安立楠 申德振 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 激发态物理重点实验室，长春 130033 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：60278031，60176003，60376009）和中国科学院百人计划资助 的课题. |
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| 摘 要： | 用室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运探测方法对不同垒宽的ZnCdSe量子阱/ZnSe/CdSe 量子点新型耦合结构中激子隧穿过程进行研究，观察到激子从量子阱到量子点的快速隧穿过 程.在ZnSe垒宽为10nm, 15nm, 20nm时，测得激子隧穿时间分别为1.8ps, 4.4ps, 39ps.
关键词：
ZnCdSe量子阱
CdSe量子点
激子
隧穿
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| 关 键 词： | ZnCdSe量子阱 CdSe量子点 激子 隧穿 |
| 文章编号： | 1000-3290/2004/53(09)/3211-04 |
| 收稿时间： | 2003-11-13 |
Exciton tunnelling in ZnCdSe quantum well/CdSe quantum dots |
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| Jin Hu,Zhang Li-Gong,Zheng Zhu-Hong,Kong Xiang-Gui,An Li-Nan and Shen De-Zhen.Exciton tunnelling in ZnCdSe quantum well/CdSe quantum dots[J].Acta Physica Sinica,2004,53(9):3211-3214. |
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| Authors: | Jin Hu Zhang Li-Gong Zheng Zhu-Hong Kong Xiang-Gui An Li-Nan and Shen De-Zhen |
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| Abstract: | Exciton tunneling through ZnSe barrier layer of various thicknesses is investigated in a novel Zn 0 72 Cd 0 28 Se/CdSe coupled quantum well/quantum dots (QW/QDs) structure using photoluminescence spectra and near resonant pump probe measurements. Fast exciton tunneling from quantum well to quantum dots is observed by transient differential transmission. The tunneling time is 1 8ps, 4 4ps, 39ps for barrier thickness of 10nm, 15nm, 20nm, respectively. |
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| Keywords: | ZnCdSe quantum well CdSe quantum dots exciton tunnelling |
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