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| N型宏孔硅电化学腐蚀中表面活性剂对 Si/HF界面的影响 | |
| 引用本文： | 李连玉,王国政,刘书异,姜柱松,王蓟,杨继凯.N型宏孔硅电化学腐蚀中表面活性剂对 Si/HF界面的影响[J].化学研究与应用,2021,33(2):297-301. |
| 作者姓名： | 李连玉 王国政 刘书异 姜柱松 王蓟 杨继凯 |
| 作者单位： | 长春理工大学理学院,吉林 长春 130022;长春理工大学理学院,吉林 长春 130022;鹏城实验室,广东 深圳 518000 |
| 基金项目： | 吉林省科技厅项目;吉林省科技厅项目;吉林省教育厅项目;吉林省教育厅项目 |
| 摘 要： | 该论文研究了N型宏孔硅电化学腐蚀中表面活性剂对Si/HF界面的影响.分别用含有阳离子、阴离子、非离子表面活性剂和无表面活性剂的HF腐蚀液进行宏孔硅光电化学腐蚀实验,测试了电化学阻抗谱EIS和Mott-Schokkty曲线,分析了N型宏孔硅电化学反应过程中的电荷转移电阻和Si/HF界面处Si基体一侧的空间电荷层电容.结果... |
| 关 键 词： | N型宏孔硅 交流阻抗 表面活性剂 光电化学腐蚀 |
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