| 退火及铟含量对InGaAs量子点光学特性的影响 |
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| 引用本文： | 赵震.退火及铟含量对InGaAs量子点光学特性的影响[J].强激光与粒子束,1999,11(4):433-438. |
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| 作者姓名： | 赵震 |
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| 作者单位： | 俄罗斯科学院A.F.Loffe物理技术研究所 Polytekhnicheskaya 26 圣彼得堡俄罗斯194021 |
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| 基金项目： | 俄罗斯基础科学基金, Volksw agen 基金, I N T A S-96-0467 资助课题 |
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| 摘 要： | 研究了退火条件和 Ｉｎ 组份对分子束外延生长的 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ 量子点（分别以 Ｇａ Ａｓ或 Ａｌ Ｇａ Ａｓ 为基体）光学特性的影响。表明：量子点中 Ｉｎ 含量的增加将导致载流子的定域能增加和基态与激发态之间的能量间隔增大。采用垂直耦合的量子点及宽能带的 Ａｌ Ｇａ Ａｓ 基体可增强材料的热稳定性。以 Ａｌ Ｇａ Ａｓ 为基体的 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ 量子点，高温后退火工艺 （ Ｔ＝ ８３０℃）可改善低温生长的 Ａｌ Ｇａ Ａｓ 层的质量，从而改善量子点激光器材料的质量。
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| 关 键 词： | 量子点 后退火工艺 光致荧光 注入式半导体激光器 |
| 文章编号： | 1001-4322(1999)04-0433-06 |
| 修稿时间： | 1999年2月10日 |
INVESTIGATIONS OF EFFECTS OF ANNEALING AND INDIUM COMPOSITION ON THE OPTICAL PROPERTIES OF InGaAs QUANTUM DOTS |
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| ZHAO Zhen A.F. Loffe Physical Technical Institute of Russian Academy of Science,Polytekhnicheskaya ,St. Petersburg,Russia.INVESTIGATIONS OF EFFECTS OF ANNEALING AND INDIUM COMPOSITION ON THE OPTICAL PROPERTIES OF InGaAs QUANTUM DOTS[J].High Power Laser and Particle Beams,1999,11(4):433-438. |
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| Authors: | ZHAO Zhen AF Loffe Physical Technical Institute of Russian Academy of Science Polytekhnicheskaya St Petersburg Russia |
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| Institution: | ZHAO Zhen A.F. Loffe Physical Technical Institute of Russian Academy of Science,Polytekhnicheskaya 26,St. Petersburg,Russia 194021 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum dots postgrowth annealing photoluminescence injection semiconductor laser |
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