| 蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管 |
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| 引用本文： | 王伟,石家纬,郭树旭,刘明大,张宏梅,梁昌,全宝富,马东阁.蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管[J].发光学报,2007,28(2):203-206. |
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| 作者姓名： | 王伟 石家纬 郭树旭 刘明大 张宏梅 梁昌 全宝富 马东阁 |
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| 作者单位： | 1. 吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130012
2. 中国科学院长春应用化学研究所,高分子物理与化学国家重点实验室,吉林,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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吉林省自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电压下饱和输出电流有了明显提高。筛选适当的有机绝缘材料,改善全有机薄膜场效应晶体管有源层/绝缘层的界面性能,使阈值电压几乎降至0V,场效应迁移率提高了3倍多,输出饱和电流也有了明显的提高。
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| 关 键 词： | 全蒸镀 全有机薄膜场效应晶体管 |
| 文章编号： | 1000-7032（2007）02-0203-04 |
| 修稿时间： | 2005-08-25 |
All-organic Thin-film Field-effect Transistors Fabricated by Fully-evaporation |
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| WANG Wei,SHI Jia-wei,GUO Shu-xu,LIU Ming-da,ZHANG Hong-mei,LIANG Chang,QUAN Bao-fu,MA Dong-ge.All-organic Thin-film Field-effect Transistors Fabricated by Fully-evaporation[J].Chinese Journal of Luminescence,2007,28(2):203-206. |
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| Authors: | WANG Wei SHI Jia-wei GUO Shu-xu LIU Ming-da ZHANG Hong-mei LIANG Chang QUAN Bao-fu MA Dong-ge |
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| Institution: | 1. National Key Laboratory of lntegrated Optoelectronics, Jilin University, Changchun 130012, China; 2. State Key Laboratory of Polymer Physics and Chemistry, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130022, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | fully-evaporation all-organic thin-film field-effect transistors |
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