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高质量LiGaO2晶体的提拉法生长及表征
引用本文:黄涛华,周圣明,滕浩,林辉,王军.高质量LiGaO2晶体的提拉法生长及表征[J].人工晶体学报,2008,37(3):524-527.
作者姓名:黄涛华  周圣明  滕浩  林辉  王军
作者单位:中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
基金项目:国家自然科学基金 , 上海市浦江计划
摘    要:采用提拉法成功地生长了高质量的LiGaO2单晶体,生长过程中没有观察到挥发现象.通过四晶X射线衍射、化学腐蚀、光学显微、透过光谱以及原子力显微镜对晶体的质量进行了表征.结果表明:晶体中无包裹物及气泡,具有很高的质量,(001)面晶片的摇摆曲线半高宽仅为16.2 arcsec,正交的(001)、(100)及(010)三个晶面具有不同的腐蚀形貌,其位错密度均低于104/cm2;LiGaO2晶体的吸收边约为220 nm;化学机械抛光后的晶片表面非常光滑,其均方根粗糙度仅为0.1 nm(5×5μm2).

关 键 词:提拉法  LiGaO2  化学腐蚀  透过光谱  AFM  

Growth and Characterization of High Quality LiGaO2 Crystal by Czochraiski Method
HUANG Tao-hua,ZHOU Sheng-ming,TENG Hao,LIN Hui,WANG Jun.Growth and Characterization of High Quality LiGaO2 Crystal by Czochraiski Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(3):524-527.
Authors:HUANG Tao-hua  ZHOU Sheng-ming  TENG Hao  LIN Hui  WANG Jun
Abstract:
Keywords:
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