| 嵌入耦合量子点的介观A-B环内的持续电流 |
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| 引用本文： | 谌雄文,吴绍全.嵌入耦合量子点的介观A-B环内的持续电流[J].广西物理,2004,25(1):17-20. |
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| 作者姓名： | 谌雄文 吴绍全 |
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| 作者单位： | 四川师范大学物理系,四川,成都,610068;四川师范大学物理系,四川,成都,610068 |
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| 基金项目： | 四川省应用基础研究基金资助项目 (OZGY0 2 9- 188)，四川省教育厅自然科学学科研究基金资助项目 (2 0 0 3A0 78) |
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| 摘 要： | 使用双杂质的Ansderson模型的哈密顿 ,从理论上研究了一个嵌入并联耦合量子点(DQD)的介观A -B环系统处在Kondo区时的基态性质 ,并用slave boson平均场方法求解了哈密顿。结果表明 ,在这个系统中 ,由磁通诱导而产生的持续电流依赖于系统的宇称效应和尺寸大小 ,并随隧穿耦合强度的增加而变得越来越复杂。在δ >T0 K 时 ,它的电流的峰值是奇宇称的大于偶宇称的 ,并随隧穿耦合强度的增加而增大 ,但Fano共振却被削弱 ,系统始终存在宇称效应 ,这个系统与单 (串联耦合双 )量子点系统相比 ,有许多不同的物理性质。因此 ,在未来的装置设计中 ,是很有潜力的。
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| 关 键 词： | 持续电流 宇称效应 尺寸效应 Kondo效应 |
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