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不同浓度掺铊碘化铯(CsI:Tl)晶体的光谱特性
引用本文:吴正龙. 不同浓度掺铊碘化铯(CsI:Tl)晶体的光谱特性[J]. 光谱学与光谱分析, 2011, 31(8). DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2011)08-2141-03
作者姓名:吴正龙
作者单位:北京师范大学分析测试中心,北京,100875
摘    要:对含有不同浓度Tl+激活剂的CsI:Tl晶体进行了光吸收光谱和荧光光谱测量,以研究CsI:Tl的光学吸收和发光特性.实验观察到,在紫外吸收谱中包含有三个特征结构峰297,273和247 nm,高浓度Tl+晶体的吸收结构峰比低浓度的峰明显加宽,其中A吸收峰297 nm红移20 nm.室温下不同能量紫外光激发的荧光带形状相同,不受Tl+浓度影响.分析认为,晶体中掺杂Tl+后品格畸变是导致吸收峰或荧光激发峰变化的主要原因,但对发光带峰宽和峰位影响不明显.

关 键 词:碘化铯晶体  闪烁体  吸收光谱  三维荧光谱

Comparisons of Spectral Properties of CsI : Tl Crystals with Various Tl+-Doped Concentrations
WU Zheng-long. Comparisons of Spectral Properties of CsI : Tl Crystals with Various Tl+-Doped Concentrations[J]. Spectroscopy and Spectral Analysis, 2011, 31(8). DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2011)08-2141-03
Authors:WU Zheng-long
Abstract:
Keywords:
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