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| 半导体GaAs—Ga0.65Al0.35As多量子阱的光谱性质及实现激光制冷的可能 | |
| 引用本文： | 张喜田,张伟力,高红,许武,秦伟平,张家骅,陈宝玖.半导体GaAs—Ga0.65Al0.35As多量子阱的光谱性质及实现激光制冷的可能[J].人工晶体学报,2001,30(2). |
| 作者姓名： | 张喜田 张伟力 高红 许武 秦伟平 张家骅 陈宝玖 |
| 作者单位： | 1. 哈尔滨师范大学物理系, 2. 中国科学院长春物理研究所 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，哈尔滨师范大学校科研和教改项目 |
| 摘 要： | 我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，在GaAs量子阱的光致发光中观察到上转换发光，首次提出GaAs量子阱结构可能实现激光制冷，探索了GaAs量子阱结构的发光机理。 |
| 关 键 词： | 光致发光 激发光谱 量子阱 激光制冷 上转换 |
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