| 射频磁控共溅射GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜的光学性质 |
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| 引用本文： | 丁瑞钦,王浩,于英敏,王宁娟,佘卫龙,李润华,丘志仁,罗莉,蔡志岗,W,Y,Cheung,S,P,Wong.射频磁控共溅射GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜的光学性质[J].物理学报,2002,51(4):882-888. |
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| 作者姓名： | 丁瑞钦 王浩 于英敏 王宁娟 佘卫龙 李润华 丘志仁 罗莉 蔡志岗 W Y Cheung S P Wong |
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| 作者单位： | (1)五邑大学薄膜与纳米材料研究所,江门529020; (2)五邑大学薄膜与纳米材料研究所,江门529020中山大学超快速激光光谱国家重点实验室,广州510275; (3)香港中文大学电子工程系暨材料科技研究中心,新界,香港; (4)中山大学超快速激光光谱国家重点实验室,广州510275 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :6 980 6 0 0 8) 广东省自然科学基金 (批准号 :970 716 ) 中山大学超快速激光光谱国家重点实验室开放课题(批准号 :1999)资助的课题 |
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| 摘 要： | 应用射频磁控共溅射方法和真空退火方法制备了GaAsSiO2纳米颗粒镶嵌薄膜.X射线衍射实验结果表明,经高温退火的薄膜中形成了面心立方闪锌矿结构的GaAs纳米晶粒,晶粒平均直径为1.5—3.2nm.吸收光谱展示了由于强量子限域引起的1.5—2eV的吸收边蓝移.室温光致荧光(PL)光谱显示了电子重空穴激子与电子劈裂空穴激子的近紫外和紫外双PL谱峰以及深俘获态的PL谱峰.对实验吸收边蓝移量与有效质量模型的蓝移量的悬殊差别、俘获态PL谱的形成以及PL谱线的特征作了解释.应用激光Z扫描技术测量了退火温度为500℃的复合膜在非共振条件下的光学非线性,结果表明,复合膜的非线性折射率系数和非线性吸收系数都比块材GaAs相应的系数增大了5个数量级.光学非线性系数增大主要起因于强量子限域效应
关键词：
射频磁控共溅射 GaAsSiO2纳米颗粒镶嵌薄膜 光谱 激光Z扫描
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| 关 键 词： | 射频磁控共溅射 GaAsSiO2纳米颗粒镶嵌薄膜 光谱 激光Z扫描 |
| 收稿时间： | 2001-03-21 |
| 修稿时间： | 2001年3月21日 |
Optical properties of GaAs nano-granular embedded in SiO2 matrix prepared by RF magnetron cosputtering technique |
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| Ding Rui-Qin,Wang Hao,Yu Ying-Min,Wang Ning-Juan,She Wei-Long,Li Run-Hu,Qiu Zhi-Ren,Luo Li,Chai Zhi-Gang.Optical properties of GaAs nano-granular embedded in SiO2 matrix prepared by RF magnetron cosputtering technique[J].Acta Physica Sinica,2002,51(4):882-888. |
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| Authors: | Ding Rui-Qin Wang Hao Yu Ying-Min Wang Ning-Juan She Wei-Long Li Run-Hu Qiu Zhi-Ren Luo Li Chai Zhi-Gang |
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| Abstract: |
Keywords： |
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| Keywords: | radio frequency magnetron co\|sputtering GaAs nano\|granular embedded in SiO 2 matrix spectrum laser Z\|scan |
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