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| CuSi6团簇几何结构和性质的密度泛函理论研究 | |
| 作者姓名： | 傅院霞 吕思斌 许永红 王倩 汤庆国 胡守信 |
| 作者单位： | 蚌埠学院数学与物理系,西北师范大学化学化工学院,蚌埠学院数学与物理系,蚌埠学院数学与物理系,蚌埠学院数学与物理系,蚌埠学院数学与物理系 |
| 基金项目： | 高等学校优秀青年教师教学、科研奖励基金 |
| 摘 要： | 利用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,采用全电子基组6-311+G(d)研究了CuSi6团簇的几何构型和电子结构性质,计算表明CuSi6团簇存在多个能量相近的稳定异构体,且结构中存在多个Cu-Si键,多个低能异构体共存解释了实验中观察到的CuSi6团簇较强的现象。对于CuSi6团簇,计算得到的三个最稳定异构体的垂直电离能,电子亲和能和HOMO-LUMO能隙均相对较大,也表明这三个异构体较为稳定。 |
| 关 键 词： | 密度泛函理论 Cu掺杂硅团簇 几何结构 |
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