铁磁/反铁磁双层膜中的磁锻炼效应 |
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作者姓名: | 许勉 潘靖 沈影 胡经国 |
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作者单位: | 扬州大学物理科学与技术学院,扬州,225002 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:10974170)和教育部留学回国人员科研启动基金(批准号: 2007-1108)资助的课题. |
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摘 要: | 采用Monte Carlo 方法,研究铁磁/反铁磁双层膜中的磁锻炼效应.结果表明,反铁磁层中冷场诱发的界面净磁化(钉扎效应)的磁弛豫可导致系统中的交换偏置场的磁锻炼效应.进一步研究表明,反铁磁层中掺杂可调控交换偏置场的磁锻炼效应,原因在于反铁磁层中掺杂能有效地改变冷场诱发的净磁化的磁弛豫过程.
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关 键 词: | Monte-Carlo方法 交换偏置场和矫顽场 磁锻炼效应 磁弛豫 |
收稿时间: | 2010-01-12 |
修稿时间: | 2010-02-04 |
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