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多孔硅/多孔氧化铝与PVK复合光致发光特性
引用本文:赵毅,夏明哲,杨德仁,周成瑶,阙端麟.多孔硅/多孔氧化铝与PVK复合光致发光特性[J].发光学报,2004,25(2):178-182.
作者姓名:赵毅  夏明哲  杨德仁  周成瑶  阙端麟
作者单位:浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027
基金项目:国家杰出青年基金(60225010)
摘    要:用旋涂法实现了多孔硅、多孔氧化铝与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅/PVK、多孔氧化铝/PVK复合体系的光致发光性能。PL谱的测试发现,多孔硅/PVK复合体系的PL谱同时具有多孔硅和PVK的发射峰。此外,在485nm的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源。而多孔氧化铝与PVK复合后,没有产生新的峰。但多孔氧化铝与PVK复合后,由于多孔氧化铝纳米孔的纳米限制效应使PVK的发光峰出现大幅度蓝移。从多孔硅与多孔氧化铝发光机制的不同出发,讨论了多孔硅、多孔氧化铝与PVK复合后产生不同结果的原因。

关 键 词:多孔硅  多孔氧化铝  光致发光  旋涂法  聚乙烯咔唑  纳米限制效应  光谱蓝移
文章编号:1000-7032(2004)02-0178-05
修稿时间:2003年2月27日

Photoluminescence Properties of the Composites of Porous Silicon/Porous Alumina and Poly(N-vinylcarbazole)
ZHAO Yi,XIA Ming-zhe,YANG De-ren,ZHOU Cheng-yao,QUE Duan-lin State Key laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou ,China.Photoluminescence Properties of the Composites of Porous Silicon/Porous Alumina and Poly(N-vinylcarbazole)[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(2):178-182.
Authors:ZHAO Yi  XIA Ming-zhe  YANG De-ren  ZHOU Cheng-yao  QUE Duan-lin State Key laboratory of Silicon Materials  Zhejiang University  Hangzhou  China
Institution:ZHAO Yi,XIA Ming-zhe,YANG De-ren,ZHOU Cheng-yao,QUE Duan-lin State Key laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China
Abstract:
Keywords:porous silicon  porous alumina  PVK  photoluminescence
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