| 硅（100）晶面上硅和二氧化硅的横向与纵向腐蚀速率 |
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| 引用本文： | 欧阳贱华,赵新生. 硅（100）晶面上硅和二氧化硅的横向与纵向腐蚀速率[J]. 化学物理学报, 2004, 17(3): 236-240 |
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| 作者姓名： | 欧阳贱华 赵新生 |
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| 作者单位： | 北京大学分子动态与稳态结构国家重点实验室，北京大学分子动态与稳态结构国家重点实验室 化学学院化学生物学系，北京100871，化学学院化学生物学系，北京100871 |
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| 基金项目： | Dedicatedtothe 80thbirthdayofProfessorQiheZhu .ProjectsupportedbyNKBRSF (TG19990 75 30 5 )andtheNationalNaturalScienceFoundationofChina (2 995 30 0 1,2 99730 0 3) |
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| 摘 要： | ![]()
定义了硅表面上硅和二氧化硅的横向腐蚀速率 ,系统地测量了硅 (10 0 )晶面上的硅和二氧化硅在 4 0 %(质量分数 )氟化铵水溶液中的横向与纵向腐蚀速率 ,并和硅 (111)晶面上的测量结果进行了对比 .对比结果表明 ,尽管两种晶面上的硅和二氧化硅的腐蚀速率有明显的差别 ,其相应的表观活化能在误差范围内相同 .实验中还发现 ,溶液的温度为 38.2℃时 ,硅腐蚀过程中形成的气泡对硅的腐蚀速率有显著的影响 :开始时加速硅的腐蚀 ;但随着气泡在硅 /溶液界面的聚集 ,阻碍硅的腐蚀 .
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| 关 键 词： | 硅 二氧化硅 腐蚀速率 光刻术 |
| 收稿时间： | 2003-10-29 |
The Lateral and Longitudinal Etching Rates of Silicon and Silica on Si (100) Surface |
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| Ouyang Jianhua and Zhao Xinsheng. The Lateral and Longitudinal Etching Rates of Silicon and Silica on Si (100) Surface[J]. Chinese Journal of Chemical Physics, 2004, 17(3): 236-240 |
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| Authors: | Ouyang Jianhua and Zhao Xinsheng |
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| Affiliation: | Ouyang Jianhua,Zhao Xin Sheng ** |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | Silicon Silica Etching rate Photolithography |
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