| ZnTe(ZnTe∶Cu)多晶薄膜的XPS研究 |
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| 作者姓名： | 钟永强 郑家贵 冯良桓 蔡伟 蔡亚平 张静全 黎兵 雷智 李卫 武莉莉 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家自然科学基金
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高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小值,当温度继续升高时又陡然增加,呈现异常现象。用XPS研究了N2气氛下退火前后表面状态,发现不掺Cu的ZnTe薄膜呈现富Te现象。掺Cu后Te氧化明显,以ZnTe形式存在的Te明显减少;ZnTe∶Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显,退火前,Zn主要以ZnTe形式存在,退火后Zn原子向表面扩散,使表面成分更加均匀,谱峰变宽;退火时,部分Cu原子进入晶格形成CuxTe相,引起载流子浓度变化,导致ZnTe∶Cu多晶薄膜的电导温度关系异常。
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| 关 键 词： | ZnTe多晶薄膜 光电子能谱 退火 CuxTe |
| 收稿时间： | 2005-12-28 |
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