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| ZnTe(ZnTe∶Cu)多晶薄膜的XPS研究 | |
| 作者姓名： | 钟永强 郑家贵 冯良桓 蔡伟 蔡亚平 张静全 黎兵 雷智 李卫 武莉莉 |
| 作者单位： | 四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;四川大学材料科学系,四川,成都,610064 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家自然科学基金 , 高等学校博士学科点专项科研项目 |
| 摘 要： | 用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜，测量了电导率温度曲线，发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加，呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时，lnσ随温度升高而缓慢增加，随后缓慢降低，达到一极小值，当温度继续升高时又陡然增加，呈现异常现象。用XPS研究了N2气氛下退火前后表面状态，发现不掺Cu的ZnTe薄膜呈现富Te现象。掺Cu后Te氧化明显，以ZnTe形式存在的Te明显减少;ZnTe∶Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显，退火前，Zn主要以ZnTe形式存在，退火后Zn原子向表面扩散，使表面成分更加均匀，谱峰变宽;退火时，部分Cu原子进入晶格形成CuxTe相，引起载流子浓度变化，导致ZnTe∶Cu多晶薄膜的电导温度关系异常。 |
| 关 键 词： | ZnTe多晶薄膜 光电子能谱 退火 CuxTe |
| 收稿时间： | 2005-12-28 |
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