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| SOI纳米线波导导光机理的物理分析 | |
| 引用本文： | 李运涛,徐学俊,黄庆忠,俞育德,余金中. SOI纳米线波导导光机理的物理分析[J]. 物理, 2012, 41(2): 107-109 |
| 作者姓名： | 李运涛 徐学俊 黄庆忠 俞育德 余金中 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 2. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083／东京都市大学综合研究所硅纳米科学研究中心,东京158—0082日本 3. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083／华中科技大学武汉光电国家实验室（筹）,武汉430074 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划，国家自然科学基金青年基金 |
| 摘 要： | SOI（silicon-on-insulator）纳米线波导及其器件是近年来光电子学领域研究的重点内容之一．文章从基本的导波光学理论出发，引入古斯一汉森位移理论，对SOI纳米线波导导光的物理机制进行了分析并给出了物理解释和模拟结果． |
| 关 键 词： | 绝缘体上的硅 纳米线波导 古斯-汉森位移 |
The physics of silicon-on-insulator nanowire waveguides |
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| LI Yun-Tao,XU Xue-Jun,HUANG Qing-Zhong,YU Yu-De,YU Jin-Zhong. The physics of silicon-on-insulator nanowire waveguides[J]. Physics, 2012, 41(2): 107-109 | |
| Authors: | LI Yun-Tao XU Xue-Jun HUANG Qing-Zhong YU Yu-De YU Jin-Zhong |
| Affiliation: | 1(1 State Key laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductor,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)(2 Tokyo City University,Tokyo 158-0082,Japan)(3 Wuhan National Laboratory for Optoelectronics,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074,China) |
| Abstract: | Nanowire waveguides and devices have become a key point of optoelectronics in recent years.In this paper,the physics of silion-on-insulator nanowire waveguides is analyzed and explained based on the Goos-Hnchen displacement theory.Simulation results are also presented. |
| Keywords: | silicon-on-insulator nanowire waveguide Goos-- Hanchen displacement |
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