| γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变 |
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| 作者姓名： | 程勇 李小虎 刘伟华 吴国忠 王谋华 |
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| 作者单位： | 1. 上海大学理学院,上海200444;中国科学院上海应用物理研究所,上海201800;2. 中国科学院上海应用物理研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 中国科学院战略性先导科技专项子课题(XDA02040300)，国家自然科学基金(11575279)，上海市自然科学基金(批准号:15ZR1448600)资助.Supported by the Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of Sciences(XDA02040300)，the National Natural Science Foundation of China(11575279)，the Natural Science Foundation of Shanghai |
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| 摘 要： | ![]()
利用电子自旋共振波谱(ESR)研究了在N2气中γ射线辐射诱导聚碳硅烷(PCS)自由基的产生和演变行为.ESR谱图分析结果表明,γ射线辐射诱导PCS产生的自由基为硅自由基(≡Si·).低剂量辐照时硅自由基的浓度随吸收剂量的增加而线性增加,硅自由基的辐射化学产额G值约为9,吸收剂量达到200 k Gy后,硅自由基的浓度趋于饱和.室温下硅自由基的浓度随存储时间的延长而逐渐降低,在N2气中存储时硅自由基的半衰期约23 d,在空气中存储时硅自由基的氧化反应导致衰减速率加快,半衰期仅为8 h.温度升高硅自由基衰减速率加快,在N2气中250℃加热处理可以完全清除硅自由基.
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| 关 键 词： | 电子自旋共振 聚碳硅烷 γ射线辐射 自由基 |
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