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The Interaction of Extended Defects as the Origin of Step Bunching in Epitaxial III–V Layers on Vicinal Si(001) Substrates
Authors:
Michael Niehle
Jean-Baptiste Rodriguez
Laurent Cerutti
Eric Tourni
Achim Trampert
Institution:
Michael Niehle,Jean-Baptiste Rodriguez,Laurent Cerutti,Eric Tournié,Achim Trampert
Abstract:
Keywords:
epitaxial growth
extended defects
semiconductor heterostructures
step bunching
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