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| 低温生长GaAs在Nd∶YVO_4激光器中调Q特性的研究 | |
| 引用本文： | 姜其畅,卓壮,王勇刚,李健,苏艳丽,马骁宇,张志刚,王清月.低温生长GaAs在Nd∶YVO_4激光器中调Q特性的研究[J].光子学报,2006(8). |
| 作者姓名： | 姜其畅 卓壮 王勇刚 李健 苏艳丽 马骁宇 张志刚 王清月 |
| 基金项目： | 山东省科技厅科技攻关计划资助(031080125) |
| 摘 要： | 采用一种新型的被动调Q饱和吸收体,低温生长GaAs薄膜,实现了半导体抽运Nd∶YVO4激光器的调Q运转.研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W.在抽运功率9.2W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15ns,最大单脉冲能量为4.84μJ,最高峰值功率为330W,最大平均输出功率为1.16W;脉冲重复频率在220kHz到360kHz之间. |
| 关 键 词： | 低温生长GaAs 被动调Q Nd∶YVO_4激光器 半导体抽运 |