| 利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构 |
| |
| 作者姓名： | 周炳卿 刘丰珍 朱美芳 谷锦华 周玉琴 刘金龙 董宝中 李国华 丁琨 |
| |
| 作者单位： | (1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室,北京 100039; (3)中国科学院研究生院物理系,北京 100039; (4)中国科学院研究生院物理系,北京 100039;内蒙古师范大学物理系,呼和浩特 010022 |
| |
| 基金项目： | 国家基础发展规划（973）项目基金（批准号：G2000028208）和中国科学院高能物理研究所 北京同步辐射实验室资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 采用x射线小角散射（SAXS）技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积（rf-PECVD）、 热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积(PE-HWCVD)技术制备的微晶硅（ μc-Si:H）薄膜的微结构.实验发现,在相同晶态比的情况下,PECVD沉积的μc-Si:H薄膜微 空洞体积比小,结构较致密,HWCVD沉积的μ-Si:H薄膜微空洞体积比大,结构较为疏松,PE -HWCVD沉积的μc-Si:H薄膜,由于等离子体的敲打作用,与HWCVD样品相比,微结构得到明 显改善.采用HWCVD二步法和PE-HWCVD加适量Ar离子分别沉积μc-Si:H薄膜,实验表明,微结 构参数得到了进一步改善.45°倾角的SAXS测量显示,不同方法制备的μc-Si:H薄膜中微空 洞分布都呈各向异性.红外光谱测量也证实了SAXS的结果.
关键词：
微晶硅薄膜
微结构
微空洞
x射线小角散射
|
| 关 键 词： | 微晶硅薄膜 微结构 微空洞 x射线小角散射 |
| 文章编号： | 1000-3290/2005/54(05)2172-04 |
| 收稿时间： | 2004-08-10 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
