声子散射下碳纳米管场效应管建模方法研究 |
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作者姓名: | 赵晓辉 蔡理 张鹏 |
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作者单位: | 1. 空军工程大学 理学院, 西安 710051;
2. 空军工程大学工程学院, 西安 710038 |
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摘 要: | 声子散射对碳纳米管场效应管(carbon nanotube field effect transistor, CNTFET)的特性有着不可忽略的影响. 传统研究方法基于弹道输运模型来分析发生声子散射时各参数对器件特性的影响, 进而建立CNTFET声子散射模型.为了降低模型复杂度, 提高仿真计算的速度, 本文深入研究了CNTFET的声子散射影响, 对手性、温度和能量三个参数的变化进行了仿真, 分析了参数对器件特性的影响. 采用线性近似拟合的方式建立了一种新的CNTFET声子散射模型.通过分析散射下电流的变化, 验证了该模型的正确性和有效性.与半经典散射模型相比, 该模型由于不需要进行积分计算, 计算过程较为简单, 降低了运算量.
关键词:
碳纳米管场效应管
声子散射模型
线性近似拟合
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关 键 词: | 碳纳米管场效应管 声子散射模型 线性近似拟合 |
收稿时间: | 2012-12-15 |
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