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| 低温透明非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性 | |
| 作者姓名： | 李喜峰 信恩龙 石继锋 陈龙龙 李春亚 张建华 |
| 作者单位： | 上海大学, 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室, 上海 200072 |
| 摘 要： | 采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO), 在相对低的温度(<200 ℃)下成功制备底栅a-IGZO 薄膜晶体管器件, 其场效应迁移率10 cm-2·V-1·s-1, 开关比大于107, 亚阈值摆幅 SS为0.4 V/dec, 阈值电压为3.6 V. 栅电压正向和负向扫描未发现电滞现象. 白光发光二极管光照对器件的输出特性基本没有影响, 表明制备的器件可用于透明显示器件. 研究了器件的光照稳定性, 光照10000 s后器件阈值电压负向偏移约0.8 V, 这种漂移是由于界面电荷束缚所致.
关键词：
非晶铟镓锌氧化合物
薄膜晶体管
光照稳定性
电滞现象 |
| 关 键 词： | 非晶铟镓锌氧化合物 薄膜晶体管 光照稳定性 电滞现象 |
| 收稿时间： | 2012-12-04 |
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