| 光伏型碲镉汞探测器在波段内连续激光辐照下的两种不同过饱和现象的产生机理 |
| |
| 作者姓名： | 江天 程湘爱* 许中杰 陆启生 |
| |
| 作者单位： | 1. 国防科学技术大学, 光电科学与工程学院, 长沙 410073;2. 光电信息控制和安全技术重点实验室, 三河 065201 |
| |
| 摘 要： | 利用连续波段内激光对两批光伏型碲镉汞探测器进行了激光辐照实验, 发现了两种不同的过饱和现象. 实验表明, 光伏型碲镉汞探测器在强光辐照下都会出现开路电压随光强增强而减小的过饱和现象, 明晰了PV型探测器在强光辐照下的一般规律性现象和由探测器个体差异导致的特殊现象. 从等效电路模型出发, 剖析了两种过饱和现象的发生条件, 建立了数值计算的理论模型, 对两种过饱和现象进行了数值模拟, 计算结果与实验结果符合得较好. 研究表明, 光伏型碲镉汞探测器在波段内强光辐照下引起的过饱和现象有两种产生机理, 一种是热效应引起的暗电流增大机理; 另一种是探测器材料中缺陷引起的漏电流增大机理.
关键词：
波段内连续激光
光伏型碲镉汞探测器
过饱和现象
|
| 关 键 词： | 波段内连续激光 光伏型碲镉汞探测器 过饱和现象 |
| 收稿时间： | 2012-11-12 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
