| 后退火对InxGa1xAs 单层量子点光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 赵震.后退火对InxGa1xAs 单层量子点光学性质的影响[J].强激光与粒子束,1999,11(3). |
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| 作者姓名： | 赵震 |
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| 作者单位： | 俄罗斯科学院A.F. Ioffe物理技术研究所， Polytekhnichekaya 26,圣彼得堡, 俄罗斯, 194021 |
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| 摘 要： | 研究了以GaAs和Al0.15Ga0.85As为基体, 当铟的摩尔分数（x）不同时, 后退火对InxGa1-xAs 单层量子点光致荧光（PL）谱特性的影响。后退火将导致铟含量不同的样品（x=0.23, 0.37, 0.50, 1.0）的PL谱线宽度变窄和蓝移。对于GaAs 基体, 在700℃退火90分钟所造成的PL谱蓝移与退火30分钟相似;(仅当x=0.23时, 退火90分钟所造成的PL谱蓝移小于30分钟)。对于Al0.15Ga0.85As基体, 在700℃退 火30分钟和90分钟, 其PL谱蓝移是不同的。
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| 关 键 词： | 量子点 后退火工艺 光致荧光 注入式半导体激光器 |
| 收稿时间： | 1900-01-01; |
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