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基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体电离参数研究
引用本文:陈建新,王骐,夏元钦,陈德应. 基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体电离参数研究[J]. 光学学报, 2002, 22(4): 32-435
作者姓名:陈建新  王骐  夏元钦  陈德应
作者单位:哈尔滨工业大学光电子技术研究所可调谐激光技术国家级重点实验室,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学光电子技术研究所可调谐激光技术国家级重点实验室,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学光电子技术研究所可调谐激光技术国家级重点实验室,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学光电子技术研究所可调谐激光技术国家级重点实验室,哈尔滨,150001
基金项目:国家 8 6 3高技术激光技术主题,国家自然科学基金(6 0 0 780 10 )资助课题
摘    要:以类硼氮系统为例 ,对基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体的电离参数进行了研究 ,由此确定了对于适合复合机制的类硼氮 4 5 .2 1nm的产生 ,其最佳激励激光强度为 5× 10 1 5W cm2 ,并对计算结果进行了分析

关 键 词:线偏振光场  电离参数  类硼氮系统

Ionization Parameter Study of Optical-Field-Ionized B-Like N System at Low Density
Chen Jianxin Wang Qi Xia Yuanqin Chen Deying. Ionization Parameter Study of Optical-Field-Ionized B-Like N System at Low Density[J]. Acta Optica Sinica, 2002, 22(4): 32-435
Authors:Chen Jianxin Wang Qi Xia Yuanqin Chen Deying
Abstract:
Keywords:linearly polarized laser  ionization parameter  B like N system
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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