| MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究 |
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| 作者姓名： | 任鹏 刘忠良 叶剑 姜泳 刘金锋 孙玉 徐彭寿 孙治湖 潘志云 闫文盛 韦世强 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥 230029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目(批准号：10635060),国家自然科学基金(批准号：10725522)资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8％和17％)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.
关键词：
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分子束外延
XRD
XANES
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| 关 键 词： | MnxSi1-x磁性薄膜 分子束外延 XRD XANES |
| 收稿时间： | 2007-10-01 |
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