| 一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算 |
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| 作者姓名： | 雷达 孟根其其格 梁静秋 王维彪 |
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| 作者单位： | 内蒙古大学 鄂尔多斯学院, 内蒙古 鄂尔多斯 017000;中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,中国,130033 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（61261004,50072029,50572101）资助项目 |
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| 摘 要： | 建立一种平行背栅极碳纳米管阵列阴极,基于电场叠加原理,利用镜像电荷法对其进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场增强因子。在此基础上,进一步分析器件各类参数对电场增强因子的影响。分析表明,碳纳米管阵列阴极具有最佳阵列密度,其对应碳纳米管间距大约为碳纳米管高度的两倍,靠阴极阵列边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大。除了碳纳米管的长径比之外,栅极宽度、栅极厚度和栅极间距等也对电场增强因子有一定的影响:栅极越宽,场增强因子越大;而栅极厚度、栅极间距越大,场增强因子就越小。
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| 关 键 词： | 平行背栅极 碳纳米管阵列 场增强因子 悬浮球 |
| 收稿时间： | 2013-10-12 |
| 修稿时间： | 2013-12-30 |
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