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| 椭偏透射法测量氢化非晶硅薄膜厚度和光学参数 | |
| 作者姓名： | 廖乃镘 李伟 蒋亚东 匡跃军 祁康成 李世彬 吴志明 |
| 作者单位： | (1)电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054; (2)电子科技大学,光电信息学院,成都 610054 |
| 摘 要： | 针对多角度椭偏测量透明基片上薄膜厚度和光学参数时基片背面非相干反射光的影响问题,报道了利用椭偏透射谱测量等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备的a-Si:H薄膜厚度和光学参数的方法,分析了基片温度Ts和辉光放电前气体温度Tg的影响.研究表明,用椭偏透射法测量的a-Si:H薄膜厚度值与扫描电镜(SEM)测得的值相当,推导得到的光学参数与其他研究者得到的结果一致.该方法可用于生长在透明基片上的其他非晶或多晶薄膜.
关键词：
椭偏测量
透射法
光学参数
氢化非晶硅薄膜 |
| 关 键 词： | 椭偏测量 透射法 光学参数 氢化非晶硅薄膜 |
| 文章编号： | 1000-3290(2008)03-1542-06 |
| 收稿时间： | 2007-05-13 |
| 修稿时间： | 2007-05-13 |
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