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| Fe掺杂的GaN薄膜的结构和铁磁性（英文） | |
| 作者姓名： | 郭俊梅 王锦仁 刘科敏 孙琳 张玉宾 徐胜楠 |
| 作者单位： | 上海理工大学能源与动力工程学院, 上海 200093 |
| 摘 要： | 本文通过高温氨化由磁控溅射方法制备的Ga2O3:Fe薄膜,成功地在单晶硅(100)基底上制备了Fe掺杂的GaN薄膜.X射线衍射结果显示Fe掺杂浓度为0%～7%的GaN薄膜均未发现第二相.磁性测量表明所有Fe掺杂的样品均显示出室温铁磁性,而且每个Fe原子的磁矩随Fe浓度的增加而减小,Fe的浓度为1%时每个Fe的磁矩最大,最大值为1.92μB/Fe. |
| 关 键 词： | 铁磁性 结构 GaN 磁控溅射 高温氨化 |
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