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| 硅器件工艺过程中晶体滑移位错的引入和演变 | |
| 引用本文： | 肖楠,卢因诚.硅器件工艺过程中晶体滑移位错的引入和演变[J].物理,1980(3). |
| 作者姓名： | 肖楠 卢因诚 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 (肖楠)，北京市半导体器件研究所(卢因诚) |
| 摘 要： | 半导体材料硅中存在的原生晶体缺陷(如位错、层错、旋涡缺陷)及半导体硅器件加工工艺过程中的诱生晶体缺陷(如外延层错、热氧化杆状缺陷、扩散导致的缺陷)都会给器件带来有害的影响.为了揭示缺陷是如何影响材料的结构和器件的性能,人们必须设法观察缺陷的位错、形貌,并研究它们是如何引入和演变的. 我们在60kw旋转阳极X光机上,用X射线形貌技术1]跟踪双极集成电路基本工艺──外延、氧化、扩散过程,观察晶体滑移位错的引入和演变,并研究了滑移位错与器件成品率之间的相关性.在这方面,国内外都有过很好的工作2,4],现将我们的实验结果报告如… |
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