| 直流辉光放电质谱法检测三氧化钼中痕量元素含量 |
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| 引用本文： | 胡芳菲,刘鹏宇,李继东,刘红,赵景鑫,杨复光.直流辉光放电质谱法检测三氧化钼中痕量元素含量[J].分析试验室,2023(6):737-742. |
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| 作者姓名： | 胡芳菲 刘鹏宇 李继东 刘红 赵景鑫 杨复光 |
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| 作者单位： | 1. 国标(北京)检验认证有限公司;2. 国合通用测试评价认证股份公司 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划（2021YFF0700104）项目资助； |
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| 摘 要： | 建立了直流辉光放电质谱(dc-GDMS)测定三氧化钼中痕量元素含量的方法，优化了辉光放电参数，考察了三氧化钼制样面积对放电稳定性和灵敏度的影响。在优化条件下，测定2个三氧化钼标准样品BS ZZ42001和BS ZZ42003的相对灵敏度因子RSF1和RSF2，计算得到平均相对灵敏度因子RSFA，对三氧化钼标准样品BS ZZ42002的测定结果进行校正，与BS ZZ42002的标准值比较，除Ti和Cd外，校正后得到的各元素测定值相对误差在±9.5%以内。对未知的三氧化钼样品测定结果进行校正，并与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)和电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)结果对比。t检验结果表明，RSFA校正值与ICP-AES/ICP-MS法测定值无显著性差异。该方法可为三氧化钼中多种痕量元素的快速定量分析提供参考。
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| 关 键 词： | 直流辉光放电质谱(dc-GDMS) 三氧化钼 痕量元素 定量分析 |
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