| SiC单晶片高效精密加工机理的仿真与实验研究 |
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| 引用本文： | 肖 强 何雪莉. SiC单晶片高效精密加工机理的仿真与实验研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(3): 693-697 |
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| 作者姓名： | 肖 强 何雪莉 |
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| 作者单位： | 西安工业大学机电工程学院,西安,710032;陕西师范大学计算机科学学院,西安,710062 |
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| 基金项目： | 陕西省教育厅项目资助(12JK0664);陕西省特种加工重点实验室资助(13JS044);陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室访问学者专项计划项目;陕西省特种加工重点实验室开放基金资助项目;校长基金项目(XAGDXJJ1007) |
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| 摘 要： | ![]()
SiC单晶作为理想的半导体材料,其特有晶体结构及高的材料硬脆性使其精密加工过程成为难点.本文基于SiC单晶材料去除机理,通过有限元方法对材料去除方式及应力进行了仿真及实验验证.仿真与实验的结果表明,基于超声复合研磨加工SiC单晶片,粗糙度降低达50;,材料去除率提高达100;.
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| 关 键 词： | SiC单晶片 表面粗糙度 材料去除率, |
Simulation Analysis and Experimental Research of High Efficiency and Low Damage Processing Mechanism for SiC Single Crystal Chip |
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| XIAO Qiang,HE Xue-li. Simulation Analysis and Experimental Research of High Efficiency and Low Damage Processing Mechanism for SiC Single Crystal Chip[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(3): 693-697 |
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| Authors: | XIAO Qiang HE Xue-li |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | |
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