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| H_2S/CH_4混合物在石墨烯表面吸附性能的分子动力学模拟 | |
| 作者姓名： | 雷广平 刘朝 解辉 |
| 作者单位： | 低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室;重庆大学动力工程学院; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.51206195);“研究生科技创新基金”优秀新生科研培育项目(No.CDJXS12141115) |
| 摘 要： | 本文采用分子动力学方法研究了常温(300K)条件,不同气相密度下H_2S/CH_4二元混合物在石墨烯表面的吸附性能.讨论了气相密度对气-固界面张力,表面吸附量及吸附选择性的影响,并统计了密度分布,法相及切向压力分布。此外,还讨论了石墨烯表面缺陷对混合物吸附的影响。研究表明H_2S/CH_4二元混合物在石墨烯表面的吸附可视为单分子层吸附;且吸附选择性与气-固界面张力均随着气相密度的增加而增大;H_2S与CH_4均在石墨烯表面缺陷处存在一明显的吸附峰. |
| 关 键 词： | 石墨烯 气-固表面张力 表面吸附量 吸附选择性 |
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