硅纳米线阵列的制备及其光电应用 |
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引用本文: | 刘莉,曹阳,贺军辉,杨巧文.硅纳米线阵列的制备及其光电应用[J].化学进展,2013(Z1):248-259. |
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作者姓名: | 刘莉 曹阳 贺军辉 杨巧文 |
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作者单位: | 中国矿业大学(北京)化学与环境工程学院;中国科学院理化技术研究所 |
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基金项目: | 国家自然科学基金项目(No.11104283);国家重点基础研究发展计划(973)项目(No.2010CB934103)资助 |
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摘 要: | 近年来,硅纳米线阵列在宽波段、宽入射角范围内优异的减反射性能及其在光电领域的巨大应用前景引起了相关研究者的广泛关注。本文综述了国内外硅纳米线阵列的制备及其在光电应用方面的最新研究进展。关于硅纳米线阵列的制备方法,主要从"自下而上"和"自上而下"两大类出发,分别阐述了模板辅助的化学气相沉积法、化学气相沉积结合Langmuir-Blodgett技术法和金属催化化学刻蚀法,其中重点介绍了目前使用最为广泛且操作简单的金属催化化学刻蚀法的步骤、机理及控制参数。关于硅纳米线阵列在光电领域的应用,主要阐述了硅纳米线阵列在光电探测器、常规太阳能电池、光电化学太阳能电池、光催化分解水制氢、光催化降解有机污染物方面的应用。最后,从硅纳米线阵列在实际应用中面临的提高光电转换效率和避免硅纳米线阵列腐蚀以提高器件的稳定性等问题出发,展望了硅纳米线阵列的表面修饰及修饰后的性能研究是未来硅纳米线阵列光电应用研究的主要方向之一。
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关 键 词: | 硅纳米线 阵列 制备 光电应用 |
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