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| 碳化硅中点缺陷对热传导性能影响的分子动力学研究 | |
| 作者姓名： | 王甫 周毅 高士鑫 段振刚 孙志鹏 汪俊 邹宇 付宝勤 |
| 作者单位： | 四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室;中国核动力研究设计院核反应堆系统设计技术重点实验室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:51501119);中央高校基本科研业务费专项资金资助的课题。 |
| 摘 要： | 碳化硅(SiC)由于性能优异,已广泛应用于核技术领域.在辐照环境下,载能入射粒子可使材料中的原子偏离晶体格点位置,进而产生过饱和的空位、间隙原子、错位原子等点缺陷,这些缺陷将改变材料的热物性能,劣化材料的服役性能.因此,本文利用平衡分子动力学方法(Green-Kubo方法)采用Tersoff型势函数研究了点缺陷对立方碳化硅(β-SiC或3C-SiC)热传导性能的影响规律.研究过程中考虑的点缺陷包括:Si间隙原子(SiⅠ)、Si空位(SiⅤ)、Si错位原子(SiC)、C间隙原子(CⅠ)、C空位(CⅤ)和C错位原子(CSi).研究结果表明,热导率(λ)随点缺陷浓度(c)的增加而减小.在研究的点缺陷浓度范围(点缺陷与格点的比例范围为0.2%—1.6%),额外热阻率(ΔR-Rdefect-Rperfect,R=1/λ,Rdefect为含缺陷材料的热阻率,Rperfec... |
| 关 键 词： | 碳化硅 热导率 分子动力学 点缺陷 |
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