| 超宽禁带半导体 β-Ga2O3单晶生长突破2英寸 |
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| 引用本文： | 唐慧丽,何诺天,罗平,郭超,李秋,吴锋,王庆国,潘星宇,刘波,徐军.超宽禁带半导体 β-Ga2O3单晶生长突破2英寸[J].人工晶体学报,2017,46(12):2533-2534. |
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| 作者姓名： | 唐慧丽 何诺天 罗平 郭超 李秋 吴锋 王庆国 潘星宇 刘波 徐军 |
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| 作者单位： | 同济大学,物理科学与工程学院高等研究院,上海 200092;上海蓝宝石单晶工程技术研究中心,上海 200092 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大研究计划(91333106);上海市科学技术委员会基金(13521102700) |
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| 摘 要： | <正>氧化镓(β-Ga_2O_3)单晶是一种第四代超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.8~4.9eV,具有独特的紫外透过特性(吸收截止边~260nm);击穿电场强度高达8MV/cm,是Si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上,巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍、4倍以上,并且可以采用熔体法生长大尺寸体单晶,因此β-Ga_2O_3已成为超高压功率器件和深紫外光电子器件的优选材料之一。由于其在军事、能源、医疗、环境等领域的重要应用价值,近年来,氧化镓材料及器件的研究与应用成为当前美国、日本、德国等国家的研究热点和竞争重
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