|
|||||
|
|
| 酸碱性对雾化施液CMP氧化锆陶瓷的影响 | |
| 作者姓名： | 李庆忠 夏明光 施卫彬 |
| 作者单位： | 江南大学机械工程学院,无锡,214122 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51175228) |
| 摘 要： | 采用精细雾化施液CMP这一抛光工艺对氧化锆陶瓷进行抛光,实验研究了抛光液中具有代表性的酸碱调节剂对抛光氧化锆陶瓷材料去除率、表面形貌和表面粗糙度的影响及酸碱性对精细雾化施液分散稳定性的影响.结果表明:针对精细雾化液抛光工艺配制的二氧化硅抛光液在碱性环境中分散稳定性更好,虽然酸性抛光液对材料去除率更高,但酸对氧化锆陶瓷表面腐蚀性过大,不宜抛光氧化锆陶瓷;有机碱作为调节剂抛光后的表面质量明显优于无机碱及无机酸、有机酸;乙二胺配置的碱性抛光液精细雾化后抛光氧化锆陶瓷可获得优质超光滑低损伤表面及较高加工效率,表面粗糙度Rq为1.67 nm,材料去除率达182.23 nm/min. |
| 关 键 词： | 氧化锆陶瓷 酸碱性 雾化施液 超光滑表面 材料去除率, |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 | |