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| 用MOCVD方法生长的GaAs/GaAsP量子线及其特性 | |
| 作者姓名： | 傅竹西 |
| 作者单位： | 1.中国科学技术大学物理系 合肥,230026 |
| 摘 要： | 本实验采用普通的光刻和湿法腐蚀技术,将GaAs基片刻蚀成具有W形沟槽样的非平面结构,基片表面为(100)面,沟槽的侧斜面为(111)B面.在此基片上用低压MOCVD设备外延生长了GaAs/GaAsP多层膜,通过扫描电镜和微区拉曼光谱,研究它们的生长特性,发现GaAs和GaAsP的生长速率与基片的晶向及基片上的生长位置有关.根据这一生长特性,选择合适的W形沟道形状,用常规的量子阱外延方式,在W形沟道中央顶部突起的线条状平面上形成宝塔形生长,从而在尖端长出量子线.低温荧光光谱中观察到相应的能量峰,从而证实量子线的存在. |
| 关 键 词： | GaAs/GaAsP量子线 非平面基片 MOCVD外延生长 |
| 收稿时间： | 1994-09-07 |
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