| Cu3N薄膜的制备及其霍尔效应研究 |
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| 作者姓名： | 王明旭 岳光辉 范晓彦 闫德 闫鹏勋 杨强 |
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| 作者单位： | 兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000;兰州工业高等专科学校,兰州,730050;兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 甘肃省自然科学基金重点项目资助(No.ZS021-A25-022-C) |
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| 摘 要： | 采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12sccm、衬底温度为100℃的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜择优[100]晶向生长.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了样品的表面形貌,发现样品表面平整、结构紧密.用四探针法检测了薄膜的霍尔特性,发现随温度的降低薄膜的霍尔系数、霍尔电阻率均增加.霍尔迁移率在高温范围也呈降低的趋势,但是变化的范围比较小,在低温范围又有所增加.随温度的降低薄膜的载流子浓度降低.我们还通过变温的霍尔系数估算了氮化铜薄膜的禁带宽度约为1.35eV.
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| 关 键 词： | 氮化铜薄膜 XRD SEM AFM 霍尔效应 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）05-1108-05 |
| 收稿时间： | 2006-02-23 |
| 修稿时间： | 2006-02-23 |
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