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| 立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ)——能级和简单的物理模型 | |
| 作者姓名： | 茅德强 任尚元 李名复 |
| 作者单位： | (1)中国科学技术大学物理系; (2)中国科学技术大学研究生院 |
| 摘 要： | 利用文献[1]中给出的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了十多种立方半导体的理想双空位在禁带中引入的能级,并用了一个简单的“空位分子”模型来讨论双空位态的物理问题。
关键词： |
| 收稿时间： | 1985-09-23 |
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