| 宽带近红外荧光粉KScP2O7∶Cr3+的发光特性研究及近红外LED器件应用 |
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| 引用本文： | 马子婷,张先哲,戴鹏鹏,沈丽娜.宽带近红外荧光粉KScP2O7∶Cr3+的发光特性研究及近红外LED器件应用[J].发光学报,2023(12):2158-2167. |
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| 作者姓名： | 马子婷 张先哲 戴鹏鹏 沈丽娜 |
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| 作者单位： | 新疆师范大学物理与电子工程学院,新疆发光矿物与光功能材料研究自治区重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（62264014,52262029,51762040）；;新疆维吾尔自治区自然科学基金（2021D01E19,2022TSYCXC0016）； |
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| 摘 要： | 近红外(NIR)器件的小型化和智能化需求推动了高效宽带近红外荧光粉的设计与发展。目前，Cr3+激活的宽带近红外荧光粉主要采用传统的多格位共占据策略设计实现。然而，由于处在不同晶体学格位的Cr3+热猝灭行为不一致和光谱稳定性差等问题，导致其实际应用受限。本文基于单格位占据策略，采用高温固相法制备了一系列宽带近红外荧光粉KSc1-xP2O7∶xCr3+(x=0.01～0.09)，并对其晶体结构、发光性能及热猝灭机理进行分析。研究结果表明，在x=0.03时，KSc0.97PO7∶0.03Cr3+(KSP∶0.03Cr3+)样品发光强度达到最大值，随后出现浓度猝灭现象，该现象主要归因于相邻Cr3+-Cr3+之间的能量传递。在蓝光激发下，KSP∶0.03Cr3+样品光谱覆盖700～1 200 nm，发射主峰位于85...
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| 关 键 词： | 近红外荧光粉 单格位占据策略 宽带发射 Cr3+掺杂 NIR pc-LED |
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