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非晶硅碳薄膜发光二极管的效率分析
引用本文:周亚训,陈培力,王晓东,白贵儒,缪容之.非晶硅碳薄膜发光二极管的效率分析[J].宁波大学学报(理工版),1993(1).
作者姓名:周亚训  陈培力  王晓东  白贵儒  缪容之
作者单位:宁波大学物理系,宁波大学物理系,宁波大学物理系,宁波大学物理系,宁波大学物理系
摘    要:本文利用简单的能带结构模型,分析了非晶硅碳薄膜发光二极管的载流子注入、复合和输运过程,定量计算了器件的发光效率。在忽略器件结温影响的情形下,发现低场下器件的发光效率主要取决于空穴的注入效率,而在高场下则主要依赖于空穴的辐射复合效率,理论分析与实验结果相一致。在此基础上简要提出了提高器件发光特性的措施。

关 键 词:非晶硅碳薄膜发光二极管  发光效率  注入效率  辐射复合效率

EFFICIENCIES ANALYSIS OF A-SIC: H THIN FILM LIGHT-EMITTING DIODE
Zhou Yaxun Chen Peili Wang Xiaodong Bai Guiru Miao Rongzhi.EFFICIENCIES ANALYSIS OF A-SIC: H THIN FILM LIGHT-EMITTING DIODE[J].Journal of Ningbo University(Natural Science and Engineering Edition),1993(1).
Authors:Zhou Yaxun Chen Peili Wang Xiaodong Bai Guiru Miao Rongzhi
Abstract:
Keywords:a-SiC:H thin film light-emitting diode  luminescence efficiency  injection efficiency  radiation recombination efficiency
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
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