| InGaN绿光LED中p-AlGaN插入层对发光效率提升的影响 |
| |
| 作者姓名： | 余浩 郑畅达 丁杰 莫春兰 潘拴 刘军林 江风益 |
| |
| 作者单位： | 南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心,江西,南昌,330096 |
| |
| 基金项目： | 国家重点研发计划;国家重点研发计划;国家自然科学基金;江西省发展计划资助项目;江西省发展计划资助项目 |
| |
| 摘 要： | 基于含有V坑结构的Si（111）衬底InGaN/GaN绿光LED,我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25nm的低掺镁p-AlGaN插入层,并获得明显的效率提升。在35A/cm2的电流密度下,主波长为520nm的LED外量子效率和光功率分别达到43.6%和362.3mW,这是截至目前报道的最高记录。通过分析表明,其潜在的物理机制归结于p-AlGaN插入层能够提高空穴从V坑注入的效率。本文提供了一种有效提升发光效率的方法,尤其适合于含有V坑结构的InGaN/GaNLED。
|
| 关 键 词： | 绿光LED p-AlGaN插入层(IL) 外量子效率 V坑 空穴注入效率 |
| 收稿时间： | 2019-02-28 |
| 修稿时间： | 2019-04-02 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《发光学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《发光学报》下载全文 |
|
