| 电沉积制备p型CuInSe_2薄膜 |
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| 引用本文： | 杨军,谢晓云,邓薰南.电沉积制备p型CuInSe_2薄膜[J].应用化学,1988,0(4):58. |
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| 作者姓名： | 杨军 谢晓云 邓薰南 |
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| 作者单位： | 上海科技大学化学系，上海科技大学化学系，上海科技大学化学系 |
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| 摘 要： | CuInSe_2化合物半导体的禁带宽度适中,是一种较理想的光电转换材料,有关它的研究已有报导.本文用电沉积法初步制得ρ-CuInSe_2薄膜,并观察到有光电效应.此法设备及工艺简单,具有发展前途. 用0.5cm~2钛片或镍片作基底.钛片在12ml HNO_3(比重1.4),3mlHF(40%),15ml蒸馏水组成的侵蚀液中在60—80℃下侵蚀4分钟;镍片在0.3NHNO_3中浸15分钟.皆用水洗净后待用. 将200ml所需浓度的InCl_3溶液分成两份,一份中加5滴NH_4OH和适量CuCI,另一份中
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| 关 键 词： | p-CuInSe_2 电沉积 光电化学电池 |
| 收稿时间： | 1987-07-06 |
ELECTRODEPOSITED p-CulnSe_2 THIN FILM |
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| Yang Jun Xie Xiaoyun and Deng Xunnan.ELECTRODEPOSITED p-CulnSe_2 THIN FILM[J].Chinese Journal of Applied Chemistry,1988,0(4):58. |
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| Authors: | Yang Jun Xie Xiaoyun and Deng Xunnan |
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| Institution: | Yang Jun~* Xie Xiaoyun and Deng Xunnan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p-CuInSe_2 Electrodeposition Photoelectrochemical cell |
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