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| 光电耦合器电离辐射损伤电流传输比1/f噪声表征 | |
| 作者姓名： | 林丽艳 杜磊 包军林 何亮 |
| 作者单位： | (1)西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子学院,西安 710071 |
| 摘 要： | 在研究光电耦合器电离辐射损伤机理基础上,分别建立光电耦合器电离辐射损伤电流传输比(CTR)表征模型和1/f噪声表征模型.结果表明CTR退化和噪声增加都归因于辐射后光敏三极管集电结和发射结处SiO2/Si界面缺陷增多.根据CTR退化和噪声变化分别与辐射剂量的关系,建立起噪声变化与CTR退化之间的关系,辐照实验对表征模型正确性进行了验证.运用噪声变化与辐射剂量的关系,通过低剂量辐照实验可以预测高剂量辐射后光电耦合器退化程度,故可用于评价光电耦合器抗辐射能力.
关键词：
f噪声')" href="#">1/f噪声
光电耦合器
缺陷
模型 |
| 关 键 词： | 1/f噪声 光电耦合器 缺陷 模型 |
| 收稿时间： | 2009-11-23 |
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