| 螺旋波等离子体化学气相沉积法制备纳米碳化硅薄膜 |
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| 引用本文： | 于威,王保柱,孙运涛,韩理,傅广生. 螺旋波等离子体化学气相沉积法制备纳米碳化硅薄膜[J]. 人工晶体学报, 2003, 32(3): 272-275 |
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| 作者姓名： | 于威 王保柱 孙运涛 韩理 傅广生 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 |
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| 基金项目： | 河北省自然基金 ( 10 0 0 64 )资助项目 |
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| 摘 要： | 采用螺旋波等离子体化学气相沉积 (HWP-CVD)技术在Si(100)和石英衬底上合成了具有纳米结构的碳化硅薄膜.通过X射线衍射(XRD)、傅立叶红外透射(FTIR)和原子力显微镜(AFM)等技术对所制备薄膜的结构、组分和形貌进行了分析,利用光致发光技术研究了样品的发光特性.分析表明,在700℃的衬底温度和1.33Pa的气压条件下所制备纳米SiC薄膜的平均颗粒度在3nm以下,红外透射谱主要表现为Si-C吸收.结果说明HWP-CVD为制备高质量纳米SiC薄膜的有效技术,所制备样品呈现出室温短波长可见发光特性,发光谱主峰位于395nm附近.
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| 关 键 词： | 纳米碳化硅 螺旋波等离子体 化学气相沉积 |
| 文章编号： | 1000-985X(2003)03-0272-04 |
| 修稿时间： | 2003-01-28 |
Nano Silicon Carbide Films Prepared by Helicon Wave Plasma Chemical Vapor Deposition |
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| YU Wei,WANG Bao-zhu,SUN Yun-tao,HAN Li,FU Guang-sheng. Nano Silicon Carbide Films Prepared by Helicon Wave Plasma Chemical Vapor Deposition[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2003, 32(3): 272-275 |
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| Authors: | YU Wei WANG Bao-zhu SUN Yun-tao HAN Li FU Guang-sheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nano-SiC helicon wave plasma CVD |
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