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| CuO面外Sm掺杂对电子型超导体的影响北大核心CSCD | |
| 引用本文： | 杨宏顺孙成海成路王建斌许祥益柯少秦阮可青.CuO面外Sm掺杂对电子型超导体的影响北大核心CSCD[J].低温物理学报,2013(6):449-454. |
| 作者姓名： | 杨宏顺孙成海成路王建斌许祥益柯少秦阮可青 |
| 作者单位： | 1.中国科学技术大学物理系230026; |
| 摘 要： | 研究了Nd1.85-x Smx Ce0.15CuO4单晶的热电势S、霍耳系数RH和电阻率.在CuO2平面以外的阳离子格点引入无序,其程度是通过改变Sm含量来控制的.霍耳系数RH的测量证明这种名义掺杂没有改变载流子的密度.热电势S(T)在120K以上可用掺杂的半经验模型来分析,表明有电子的窄能带和宽能带的共存.在这个模型中,无论是态密度的带宽和有效电导率的展宽都随着x的增加而增加,而局域化的趋势随Sm掺杂增加而几乎不变.Sm掺杂对超导转变温度TC的抑制作用很小,这意味着超导TC可能与载流子局域化和巡游电子的能带结构有关. |
| 关 键 词： | 电子型超导体 热电势 局域化 |
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