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| 基于BP神经网络的LED可靠性模型研究 | |
| 作者姓名： | 黄伟明 文尚胜 夏云云 |
| 作者单位： | 1.发光材料与器件国家重点实验室 华南理工大学,广东 广州,510640 |
| 基金项目： | 广东省战略性新兴产业专项,广州市科技计划 |
| 摘 要： | 根据LED可靠性与相关参数的映射关系,建立拓扑结构为6-12-1的BP神经网络.以实测白光LED芯片的理想因子、结温、色温漂移等参数为输入量,以寿命为输出量,计算模型精度.研究结果表明,该模型有良好的外推能力及鲁棒性,可在短时间内成功预测LED寿命,神经网络训练结果相关系数为99.8%,检验组误差小于3%. |
| 关 键 词： | 发光二极管 可靠性 BP神经网络 权重分析 |
| 收稿时间： | 2015-04-27 |
| 修稿时间： | 2015-06-26 |
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