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自集成透镜InGaAsP/InPDHLED及其离子束铣技术
引用本文:肖德元,郭康瑾.自集成透镜InGaAsP/InPDHLED及其离子束铣技术[J].光学学报,1991,11(1):1-77.
作者姓名:肖德元  郭康瑾
作者单位:中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所 上海 200050,上海 200050,上海 200050,上海 200050,上海 200050,上海 200050,上海 200050,上海 200050
摘    要:本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。

关 键 词:自集成透镜  发光二极管  光纤通信
收稿时间:1990/5/2

A novel integral lensed InGaAsP/InP DH LED and ion-beam milling technigue
XIAO DEYUAN,GUO KANGJIN,FU XINDING,XU SHAOHUA,FANG HONGLI,ZHANG JIANPING,CHENG QIYU AND CHENG RUIZHANY.A novel integral lensed InGaAsP/InP DH LED and ion-beam milling technigue[J].Acta Optica Sinica,1991,11(1):1-77.
Authors:XIAO DEYUAN  GUO KANGJIN  FU XINDING  XU SHAOHUA  FANG HONGLI  ZHANG JIANPING  CHENG QIYU AND CHENG RUIZHANY
Abstract:We report the results of fabrication of integral lensed GaInAsP LED by using ion-beam milling technigue firstty in China. Baking a positive acting photoresist layer was found to facilitate a very reproducible method of forming a spherical mask suitable for ion-beam milling. Characteristics of Ar ion-beam milling of InP and mask was studied, and milling parameters are optimized for obtaining optically smooth etched surfaces.
Keywords:integral lense  light emitting diode  optical oommunioation    
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